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ZAKER科技 03-11

趕超臺積電,三星 3nm 工廠即將動工:首發 GAA 工藝,功耗直降 50%

據外媒報道,三星已經準備在韓國平澤市的 P3 工廠開工建設 3nm 晶圓廠了,6、7 月份動工,并及時導入設備。

根據三星公布的消息,其 3nm 工藝采用的是更為先進的 GAA 環繞柵極晶體管技術,相比與臺積電的 FinFET 晶體管技術會更為先進。

與 7nm 制造工藝相比,3nm GAA 技術的邏輯面積效率提高了 45% 以上,功耗降低了 50%,性能提高了約 35%。

根據此前臺積電消息,臺積電將在今年下半年進行 3nm 工藝試產,預計明年將大規模商用?,F在看來,兩家的商用時間非常接近。

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